EN
RU
AR
CS
DA
NL
FR
DE
EL
IT
JA
KO
PL
PT
RO
ES
IW
SR
UK
HU
TR
FA
GA
BE
UZ
KU
Fotodetettore InGaAs RF amplificatu LK-FCAMD
- Larghezza di banda larga
- Incorporated Bias-T
- O/E Hybrid Integrated
- Altu Guadagno, Bassu Rumore, Banda Larga
- Connettore SMA
- Low Dark Current, High ratio signal-to-noise
- Small Form Factor.
Description Product
LK-FCAMD hè una fusione di tecnulugia ottica è elettronica, chì integra un fotodiode InGaAs di banda larga cù un amplificatore à pocu rumore. Stu dispusitivu hè sensibile à e lunghezze d'onda trà 1000 è 1650nm, grazia à u so fotodiode PIN InGaAs, è l'amplificatore à pocu rumore furnisce un guadagnu RF chì varieghja da 20 à 30dB.
LK-FCAMD offre opzioni di larghezza di banda configurabile, cumprese 1 gigahertz, 2.5 gigahertz, è larghezza di banda persunalizabile finu à un massimu di 5 gigahertz. U dispusitivu opera nantu à una alimentazione di + 5-volt è presenta un connettore standard di fibra ottica FC (contattata in faccia) per input otticu. L'uscita RF hè facilitata da un connettore SMA-compatibile, chì hè impedenza-matched à 50 ohms.
LK-FCAMD hè ligeru, cù una massa di menu di 25 grammi, facendu adattatu per diverse applicazioni portatili è compacti. Hè certificatu per rispettà a Direttiva RoHS (Restriction of Hazardous Substances) 2.0, chì indica u so impegnu à i normi ambientali è di sicurezza.
quaternu di tecnica
| Valutazione massima tipica è assoluta | ||||
|---|---|---|---|---|
| paràmetru | Sym. | Tipicu | Rating | Unit |
| Intervallu di temperatura di almacenamiento | TSTG | -45 ~ +85 | -55 ~ +100 | ℃ |
| Gamma di temperatura di u casu di funziunamentu | TC | 25 | -40 ~ +70 | ℃ |
| Tensione di bias | VR | +5 | +4.75 ~ +5.25 | V |
| Potenza d'ingressu otticu | Pin | 0 | +5 | dBm |
| Burn-out Power Optical | PB | - | + 13 | dBm |
| Température de soudure au plomb | Tp | 280 (10 s) | 330 (10 s) | ℃ |
| Caratteristiche elettriche / ottiche (TC = 22 ± 3 ℃) | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| paràmetru | Sintumu | Cundizione Test | Valori di Parametru | Unit | |||
| Gamma di onda | λ | - | 1000 ~ 1650 | nm | |||
| Range di frequenza | - | - | L - Band | S - Band | CM | - | |
| Small Signal Bandwidth | f-3dB | TC = 22 ± 3℃ | 0.03 ~ 1 | 0.03 ~ 2.5 | 0.1 ~ 5 | Russo Francesco Russo | |
| Rispunsabilità | Re | VR =+5V, pin = 1 mW | λ = 1310 nm | ≥ 0.85 | ≥ 0.90 | ≥ 0.90 | A / W |
| λ = 1550 nm | ≥ 0.90 | ≥ 0.90 | ≥ 0.90 | ||||
| Guadagno di signale RF | G | - | 30 ± 2 | 20 ± 2 | 20 ± 2 | dB | |
| Ampiezza di l'ampiezza | A | TC = -40~+70 ℃ | ≤ ± 1.5 | ≤ ± 1.5 | ≤ ± 2 | dB | |
| Risultatu VSWR | VSWR | - | ≤ 2 | ≤ 2 | ≤ ± 2.2 | - | |
| Saturazione putenza ottica | Ps | VR = +5 V, λ = 1550 nm AC Modulatu |
+5 | dBm | |||
| Saturazione RF Output Power | Pfora | - | 15 | dBm | |||
| Corrente scura | ID | - | ≤10 | nA | |||
| Impedenza di Output | RL | - | 50 | Ω | |||
● Curve di risposta tipica
（ Fig. 1 L-band FCAMD InGaAs Fotodetettore Risposta di Frequenza）
（ Fig. Risposta in frequenza di fotodetettore InGaAs FCAMD 2 S-Band）
（ Fig. 3 C-band FCAMD InGaAs Risposta di Frequenza di Fotodetettore）
● Dimensione è Pin (Unità: mm [inch] )
Connettore otticu: Connettore in fibra ottica FC (contattatu in faccia).
Connettore RF: SMA
● Ordering Information
Foglia 1:
| codice | Larghezza di banda analogica |
| L | 0.03 ~ 1 GHz |
| S | 0.03 ~ 2.5 GHz |
| CM | persunalizazione (≦ 5GHz) |
● Precauzioni
Assicuratevi chì a facciata di accoppiamentu di fibra hè pulita prima di cunnetta à u circuitu opto.
L'interfaccia RF è l'interfaccia ottica deve esse coperta cù un capu di polvera quandu ùn sò micca in usu.
A prutezzione ESD adatta hè necessaria in u almacenamentu, u trasportu è l'usu.
Tutti i nostri fotodetettori standard ponu esse persunalizati in moduli!
Travaux
Radar Information Processing
Guerra Elettronica
Misurazione di l'antenna
Comunicazioni in fibra ottica
Sicurezza è Vigilanza
